Micron(镁光)

　　Micron(美国镁光)，简称Micron(镁光)，Micron(镁光)是美国的半导体巨头。自1978年成立以来，它一直专注于存储芯片的设计和制造。它有自己的晶圆工厂，也是美国唯一的存储芯片制造商。Micron(Micron)的主要产品是DRAM和Flash。Micron(镁光)的市值在全球半导体行业一直保持在第5-第10位，在存储行业一直排名第二。Micron(镁光)在各个国家都有Site，Micron(镁光)有近30个R&D中心和工厂，主要在美国、中国、意大利、日本、新加坡、台湾省、波多黎各、以色列、马来西亚等地。

　　Micron(镁光)是四大存储巨头中唯一icron(Micron)是唯一一家在上海设立R&D机构的公司。在过去的10年里，上海R&D中心已经独立生产了几代产品，现在最新的3DMemory设计也在上海落户。通过这张简单的图片，我们可以看到美光上海的设计主要分为IC、System和Control设计。

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　　DDR3 SDRAM使用双倍数据速率架构来实现高速操作。双数据速率架构是一种8n预取架构，其接口设计为在I/O引脚处每个时钟周期传输两个数据字。DDR3 SDRAM的单个读或写操作有效地包括在内部DRAM核心处的单个8n位宽、四个时钟周期的数据传输和在I/O引脚处的八个相应的n位宽的、半个时钟周期数据传输。

　　DDR2 SDRAM使用双倍数据速率架构来实现高速操作。双数据速率体系结构本质上是一种4n预取体系结构，其接口设计为在I/O球处每个时钟周期传输两个数据字。DDR2 SDRAM的单个READ或WRITE操作有效地包括在内部DRAM核心处的单个4n位宽、两个时钟周期的数据传输和在I/O球处的四个对应的n位宽的、半个时钟周期数据传输。

　　DDR4 SDRAM是一种高速动态随机存取存储器，内部配置为用于x16配置的八组DRAM，以及用于x4和x8配置的16组DRAM。DDR4 SDRAM使用8n预取架构来实现高速操作。8n预取架构与一个接口相结合，该接口设计用于在I/O引脚处每个时钟周期传输两个数据字。

　　512Mb移动低功耗DDR SDRAM是一种高速CMOS动态随机存取存储器，包含536870912位。它在内部配置为四组DRAM。x16的134217728比特组中的每一个被组织为8192行乘1024列乘16比特。x32的134217728比特组中的每一个被组织为8192行乘512列乘32比特。

　　M25P10-A是一个1Mbit（128 Kbit x 8）串行闪存，具有高级写保护机制，可通过高速SPI兼容总线访问。使用Page Program（页面编程）指令，可以一次对存储器进行1到256字节的编程。存储器被组织为4个扇区，每个扇区包含128页。每页宽度为256字节。整个存储器可以被视为由512页或131072字节组成。可以使用批量擦除指令擦除整个内存，也可以使用扇区擦除指令一次擦除一个扇区。

　　M25P16是一款16Mb（2Mb x 8）串行闪存设备，具有高级写保护机制，可通过高速SPI兼容总线访问。该设备支持时钟频率高达75MHz的高性能命令。

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