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美国旧金山法院24日发出通缉令，将三名牵扯美国储存大厂镁光DRAM技术商业机密案的三人列入通缉名单中，正式裁定要逮捕福建晋华前总裁陈正坤，以及何建亭、王永明，这二人曾任职瑞晶（后被镁光并购），之后跳槽到联电的工程师。
就在两周前，同样是涉及窃取镁光商业机密，台湾法院判定联电支付1亿元新台币罚款，以及三名与联电有关的员工被判处4-6年徒刑以及罚金，其中包括何建亭、王永明二人。
很明显，台法院处罚的当事人除陈正坤外，和美国要求逮捕的人员一致，无疑是受美国压力，顺从美国的意愿，也是担心遭到美国进一步制裁，主动认错；这一判罚结果将对联电在大陆的业务开展带来不利影响。
陈正坤曾任力晶存储器产品事业群总经理，及力晶与日商尔必达合资子公司瑞晶总经理，后瑞晶被镁光收购，陈正坤加入联电，任资深副总经理，堪称是台湾DRAM业老将，17年出任福建晋华总经理，协助建厂。
陈正坤曾被问及为什么要加入联电和中国大陆 DRAM 技术合作研发计划，陈正坤感性但一针见血地说，当年瑞晶被镁光兼并这件事对他的冲击非常大，且自主开发 DRAM 技术一直是他心中的梦想，希望这个梦想从他这里播种开花。
2017年底，镁光在美国加州联邦法庭起诉联华电子与福建晋华，称联华电子通过镁光台湾地区员工窃取其知识产权，包括存储芯片的关键技术，并交由福建晋华。
2018年1月，联电向福州市人民法院递状，控告镁光在DRAM及固态硬盘（SSD）等存储产品涉嫌侵害联电大陆公司专利，导致镁光科技26种芯片产品在中国遭到临时禁售。
2018年7月，福州市中级人民法院裁定镁光半导体销售（上海）有限公司立即停止销售、进口十余款Crucial英睿达固态硬盘、内存条及相关芯片，并删除其网站中关于上述产品的宣传广告、购买链接等信息。同时裁定美光半导体（西安）有限责任公司立即停止制造、销售、进口数款内存条产品。
2018年底，美国政府指控福建晋华窃取美光(Micron)的知识产权，并禁止其从美国供应商购买重要的工具和材料，欧美设备商撤离，此举导致晋华投入60亿美元的厂房被迫停产。
2019年网传福建晋华将放弃DRAM存储芯片生产，转型晶圆厂代工，以期与镁光和解，从福建晋华的官网可以看到，自2019年7月以后，公司并未更新过新闻，公司大事记在2018年10月试产投片之后，并无新的信息。
我国作为芯片消费大国，每年都需要进口大量的芯片，在所有进口芯片中，DRAM存储芯片的占比最高，超过总进口的20%以上，目前存储芯片自给率不足10%，国产替代空间巨大，16年之后，福建晋华、长江存储、合肥长鑫相继成立，国内存储芯片三足鼎立的雏形逐渐形成。
就在国产替代刚刚吹响的时候，福建晋华却折了腰，这是DRAM国产替代的缩影，DRAM的技术发展，真正的难点不在技术本身，而是相关专利都被国际大厂牢牢掌握，要避开现有的专利来搞研发，才是真正的困难，即使中国厂商千辛万苦创新突破完成DRAM的技术研发，很可能等不到量产阶段，就先收到国际大厂的专利侵权控告。
福建晋华就是这个例子，设备商断供，60亿美元投资的工厂停摆，这给合肥长鑫、长江存储一些警示，要警惕遭遇美国进一步打击的可能。
不过据合肥长鑫的披露，他们的技术源于当年德国的奇梦达，曾经第二大DRAM公司，合肥长鑫买下了奇梦达留下的1000万份关于DRAM的技术文件，目前已在国内申请了600多项专利，另外还有上千件专利正在审核中。
合肥长鑫买下奇梦达的DRAM技术去申请专利是很明智的选择，不过合肥长鑫能否突破三星、海力士SK、镁光三大供应商构建的专利网仍然是一个未知数，还需要时间去检验。
事实再次证明，国产芯片替代之路漫漫，这个过程不仅会遭到行业巨头的技术封锁，还会有专利诉讼，设备断供，没有核心技术仍会被美国卡脖子，要真正实现国产替代，只能走独立自主的发展路线，有自己的核心技术。
当然，在芯片产业高度分工协作的当下，要做到样样精通很难，但需要在某些领域做到最好，你中有我我中有你，互有筹码才能够避免被卡脖子，就像5G技术，当美国绕不开华为的专利，那也只能让步让华为参与到标准制定中来。
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