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镁光公司NAND闪存市场开发部门的经理Kevin Kilbuck近日透露镁光计划明年将其NAND闪存芯片制程转向25nm以下级别，他表示镁光今年年中将开始批量生产25nm制程NAND闪存芯片，并将于明年转向更高级别的制程。他并表示镁光也计划开发自己的电荷捕获型(charge trap flash (CTF))闪存技术，以取代现有的浮栅型( floating-gate)NAND闪存技术。 Killbuck还向Digitimes网站表示，镁光的新款NAND闪存芯片将遵循新的EZ-NAND规范。目
镁光公司与其合作伙伴南亚公司最近公开展示了其合作开发的42nm制程2Gb DDR3内存芯片产品，双方并宣称下一代30nm制程级别的同类产品已经在镁光设在Boise的研发中心开始研制。 两家厂商预计将于今年第二季度开始42nm 2Gb DDR3内存芯片的试样生产，并将于今年下半年开始量产这种产品。 两家厂商宣称其42nm制程DDR3内存芯片产品的工作电压仅1.35V左右，比前代产品的1.5V工作电压低了不少，可节省30%电能。 这款42nm 2Gb
镁光刚刚宣布了其34纳米NAND SSD产品线Gbps的SATA设备引起了广泛注意，镁光透露它将被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下发布。 这款SSD具体型号RealSSD C300，2.5寸外形设计，包含128和256GB两种型号，读取速度高达355MB/s,写入速度达215MB/s，向下兼容3Gbps SATA。预计将面向北美、英国和欧洲大陆发布，128GB版售价大约450美元。
在本月22日召开的一次电话会议上，镁光公司声称他们很快便会试制出2x nm制程NAND闪存芯片产品，并对其进行取样测试。尽管镁光没有透露这种2xnm制程的具体规格数字，但外界认为他们很可能会于明年初公布有关的细节信 息。这样，镁光及其NAND技术的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用这种新制程技术，甩开对手三星和东芝，重新回到领先全球NAND制作技术的宝 座上。目前Intel和镁光两家公司合资创立有一家专门负责NAND业务的IM闪存技术公司。 除了制造闪存芯片之外，Intel和镁光还有出售基
镁光34nm制程企业级MLC/SLC NAND闪存芯片已经进入试样阶段，MLC部分的存储密度可达32Gb，写入寿命达3万次，是普通MLC产品的6倍;SLC部分存储密度为16Gb，写入寿命同样为3万次，是普通SLC产品的3倍. 镁光这次开发成功的34nm MLC/SLC闪存芯片支持ONFI2.1接口规范(Open NAND Flash Interface)，数据传输率最高可达200MB/S，而且可以采用闪存封装内部集成多片闪存芯片的封装方案。 镁光表示，明年初这两种闪存芯片便可正式量产。
近日业界有猜测称镁光科技正在请求美国政府帮助游说台湾内存公司（TMC），以便与TMC达成合作关系。TMC将于本月底对外正式公布自己的技术合作伙伴。 镁光驳斥了这一猜测，他们宣称自己通向TMC项目的大门并没有被关闭，不过他们需要先与自己的台湾合作商南亚洽谈，以争得对方的同意。 TMC负责人宣明智将在三月底对外公布TMC公司的技术合作伙伴。业界猜测他们可能会与日系尔必达与美系镁光两家厂商达成技术合作关系。